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电子元器件详细资料 » IC[27597] » SIHD5N50D-GE3
型号:SIHD5N50D-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)500V
电流_连续漏极(Id)0a025000C5.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.5 欧姆 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs20nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds325pF @ 100V
功率_最大104W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252AA
包装剪切带 (CT)

供应商

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深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳思诺康科技有限公司李先生0755-83286481李先生/0755-83272821朱小姐
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